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影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應(yīng)保持在8.0~8.8之間，當(dāng)pH值降到8.0以下時，一方面對金屬抗蝕層不利；另一方面，蝕刻液中的銅不能被完全絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子，溶液要出現(xiàn)沉淀，并在槽底形成泥狀沉淀，這些泥狀沉淀能在加熱器上結(jié)成硬皮，可能損壞加熱器，還會堵塞泵和噴嘴，給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過高，蝕刻液中氨過飽和，游離氨釋放到大氣中，導(dǎo)致環(huán)境污染；同時，溶液的pH值增大也會增大側(cè)蝕的程度，從而影響蝕刻的精度。ITO顯影液的濃度是指顯影劑的相對含量。南京銅發(fā)黑

ITO顯影液主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、顯示面板、太陽能電池等行業(yè)，對應(yīng)的終端產(chǎn)品為芯片、智能終端、太陽能電池板。ITO顯影液是一種重要的濕電子化學(xué)品，也是半導(dǎo)體、顯示面板、太陽能電池制作過程中關(guān)鍵的原材料之一。顯影液質(zhì)量的優(yōu)劣，直接影響電子產(chǎn)品的質(zhì)量，電子行業(yè)對顯影液的一般要求是超凈和高純。半導(dǎo)體、顯示面板、太陽能電池等行業(yè)發(fā)展速度快，屬于國家大力發(fā)展的戰(zhàn)略新興行業(yè)。顯影液的市場需求會隨著這些行業(yè)的快速發(fā)展而不斷增長，同時也拉動了生產(chǎn)顯影液的主要原材料—碳酸二甲酯的需求。蘇州觸摸屏生產(chǎn)藥水現(xiàn)貨ITO顯影液濃度大，還易有結(jié)晶析出。

市場上銷售的ITO顯影液多是濃縮型液體，使用時需要按比例稀釋，ITO顯影液的濃度多以ITO顯影液的稀釋比來表示。在其他條件不變的前提下，顯影速度與ITO顯影液濃度成正比關(guān)系，即ITO顯影液濃度越大，顯影速度越快。當(dāng)ITO顯影液濃度過大時，往往因顯影速度過快而使顯影操作不易控制。特別是它對圖文基礎(chǔ)的腐蝕性增強(qiáng)，容易造成網(wǎng)點(diǎn)縮小、殘損、亮調(diào)小網(wǎng)點(diǎn)丟失及減薄涂層，從而造成耐印力下降等弊病。同時空白部位的氧化膜和封孔層也會受到腐蝕和破壞，版面出現(xiàn)發(fā)白現(xiàn)象，使印版的親水性和耐磨性變差。ITO顯影液濃度大，還易有結(jié)晶析出。

影響ITO氯化鐵蝕刻液蝕刻速率的因素：a、Fe3+濃度的影響：Fe3+的濃度對蝕刻速率有很大的影響。蝕刻液中Fe3+濃度逐漸增加，對銅的蝕刻速率相應(yīng)加快。當(dāng)所含超過某一濃度時，由于溶液粘度增加，蝕刻速率反而有所降低。b、蝕刻液溫度的影響：蝕刻液溫度越高，蝕刻速率越快，溫度的選擇應(yīng)以不損壞抗蝕層為原則，一般在40~50℃為宜。c、鹽酸添加量的影響：在蝕刻液中加入鹽酸，可以阻止FeCl3水解，并可提高蝕刻速率，尤其是當(dāng)溶銅量達(dá)到37.4g/L后，鹽酸的作用更明顯。但是鹽酸的添加量要適當(dāng)，酸度太高，會導(dǎo)致液態(tài)光致抗蝕劑涂層的破壞。d、蝕刻液的攪拌：靜止蝕刻的效率和質(zhì)量都是很差的，原因是在蝕刻過程中在板面和溶液里會有沉淀生成，而使溶液呈暗綠色，這些沉淀會影響進(jìn)一步的蝕刻。ITO酸性蝕刻液主要成分氯化銅、鹽酸、氯化鈉和氯化銨。

ITO蝕刻廢液的處理法：目前通行的做法是，在各印制板廠內(nèi)儲存起來，放在密封的池子或儲罐內(nèi)等待外單位拉走處理。外單位一般是經(jīng)當(dāng)?shù)丨h(huán)保部門審批過有資質(zhì)的回收公司，他們把廢液拉回去后，使用化學(xué)方法（中和法、電解法、置換法）回收廢液內(nèi)的銅，或提煉成硫酸銅產(chǎn)品。這些方法，工藝落后，銅回收不徹底，處理的經(jīng)濟(jì)效益不明顯，有二次污染污染物排放。特別是堿性蝕刻，由于有大量的氨離子存在，一旦處理不當(dāng)往外排放，勢必對水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊。ITO蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達(dá)到高的蝕刻質(zhì)量的特性。觸摸屏銅網(wǎng)格黑化多少錢

ITO顯影液的顯影速度與濃度成正比關(guān)系。南京銅發(fā)黑

溫度對ITO酸性氯化銅蝕刻液速率的影響：隨著溫度的升高，蝕刻速率加快，但是溫度也不宜過高，一般控制在45~55℃范圍內(nèi)。溫度太高會引起HCl過多地?fù)]發(fā)，造成溶液組分比例失調(diào)。另外，如果蝕刻液溫度過高，某些抗蝕層會被損壞。溫度對ITO堿性氯化銅蝕刻液速率的影響：蝕刻速率與溫度有很大關(guān)系，蝕刻速率隨著溫度的升高而加快。蝕刻液溫度低于40℃，蝕刻速率很慢，而蝕刻速率過慢會增大側(cè)蝕量，影響蝕刻質(zhì)量；溫度高于60℃，蝕刻速率明顯增大，但NH3的揮發(fā)量也很大程度增加，導(dǎo)致污染環(huán)境并使蝕刻液中化學(xué)組分比例失調(diào)。故溫度一般控制在45~55℃為宜。南京銅發(fā)黑

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