蘇州觸摸屏生產(chǎn)藥劑供求信息

來源: 發(fā)布時間:2023-02-23

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:酸性氯化銅蝕刻液。Cl-含量的影響。溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關(guān)系,當鹽酸濃度升高時,蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3,并且能夠提高溶銅量。但是,鹽酸濃度不可超過6N,高于6N鹽酸的揮發(fā)量大且對設(shè)備腐蝕,并且隨著酸濃度的增加,氯化銅的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是:在氯化銅溶液中發(fā)生銅的蝕刻反應(yīng)時,生成的Cu2Cl2不易溶于水,則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜,這種膜能夠阻止反應(yīng)的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡(luò)合形成可溶性的絡(luò)離子(CuCl3)2-,從銅表面上溶解下來,從而提高了蝕刻速率。ITO顯影液的濃度偏低時,堿性弱,顯影速度慢,易出現(xiàn)顯影不凈、版面起臟、暗調(diào)小白點糊死等現(xiàn)象。蘇州觸摸屏生產(chǎn)藥劑供求信息

市場上銷售的ITO顯影液多是濃縮型液體,使用時需要按比例稀釋,ITO顯影液的濃度多以ITO顯影液的稀釋比來表示。在其他條件不變的前提下,顯影速度與ITO顯影液濃度成正比關(guān)系,即ITO顯影液濃度越大,顯影速度越快。當ITO顯影液濃度過大時,往往因顯影速度過快而使顯影操作不易控制。特別是它對圖文基礎(chǔ)的腐蝕性增強,容易造成網(wǎng)點縮小、殘損、亮調(diào)小網(wǎng)點丟失及減薄涂層,從而造成耐印力下降等弊病。同時空白部位的氧化膜和封孔層也會受到腐蝕和破壞,版面出現(xiàn)發(fā)白現(xiàn)象,使印版的親水性和耐磨性變差。ITO顯影液濃度大,還易有結(jié)晶析出。蘇州TIO制程藥水生產(chǎn)商ITO顯影劑兩液顯影主要作用是用于加強陰影部分的影紋,減低高影調(diào)部分的密度。

ITO酸性蝕刻液用途可用于多層印制板的內(nèi)層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作;而堿性蝕刻液一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作及純錫印制板的蝕刻。而總的來說,堿性與酸性蝕刻液用途要權(quán)衡對抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度,溶液再生及銅的回收、環(huán)境保護及經(jīng)濟效果等各方面的影響因素選擇合適的試劑。ITO酸性蝕刻液的蝕刻速率易控制,蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達到高的蝕刻質(zhì)量;溶銅量大;蝕刻液容易再生與回收,從而減少污染;而堿性蝕刻液的蝕刻速率快,側(cè)蝕小;溶銅能力高,蝕刻容易控制;蝕刻液能連續(xù)再生循環(huán)使用,成本低。

已經(jīng)使用的蝕刻液類型有六種類型:酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅,工藝體系,根據(jù)添加不同的氧化劑又可細分為氯化銅+空氣體系、氯化銅+氯酸鈉體系、氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝,在生產(chǎn)過程中通過補加鹽酸+空氣、鹽酸加氯酸鈉、鹽酸+雙氧水和少量的添加劑來實現(xiàn)線路板板的連續(xù)蝕刻生產(chǎn)。ITO蝕刻液是通過侵蝕材料的特性來進行雕刻的一種液體。從理論上講,凡能氧化銅而生成可溶性銅鹽的試劑,都可以用來蝕刻敷銅箔板,但權(quán)衡對抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度,蝕刻系數(shù)、溶銅容量、溶液再生及銅的回收、環(huán)境保護及經(jīng)濟效果等方面。ITO顯影劑可以分為無機化合物和有機化合物兩大類。

ITO導電玻璃制造工藝:(1)電化學擴散工藝:在玻璃上用電化學擴散方法可獲得摻雜超導薄膜。玻璃在電化學處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸,在一定的電場作用下,熔融金屬或化合物中的離子會擴散到玻璃表面,玻璃中的一價堿金屬離子離解處來,等量地擴散至陰極表面,使玻璃表面的化學組成發(fā)生變化。性能隨之改變。(2)高溫噴涂和等離子體噴涂工藝:這種技術(shù)是將粉末狀金屬或非金屬、無機材料加熱至熔化或未熔化狀態(tài),并進一步加溫使其霧化,形成高溫高速焰流噴向需噴涂的玻璃基體。采用這種方式可以先在基體上制備YBaGUOx等涂層,在經(jīng)過熱處理可成為超導性材料。ITO蝕刻液應(yīng)用用于ITO制程,蝕刻精度高。江蘇ITO藥水哪里有賣

ITO顯影劑是一種涂在玻璃上的納米技術(shù)。蘇州觸摸屏生產(chǎn)藥劑供求信息

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:氯化鐵蝕刻液。1、Fe3+濃度的影響:Fe3+的濃度對蝕刻速率有很大的影響。蝕刻液中Fe3+濃度逐漸增加,對銅的蝕刻速率相應(yīng)加快。當所含超過某一濃度時,由于溶液粘度增加,蝕刻速率反而有所降低。2、蝕刻液溫度的影響:蝕刻液溫度越高,蝕刻速率越快,溫度的選擇應(yīng)以不損壞抗蝕層為原則,一般在40~50℃為宜。3、鹽酸添加量的影響:在蝕刻液中加入鹽酸,可以阻止FeCl3水解,并可提高蝕刻速率,尤其是當溶銅量達到37.4g/L后,鹽酸的作用更明顯。但是鹽酸的添加量要適當,酸度太高,會導致液態(tài)光致抗蝕劑涂層的破壞。4、蝕刻液的攪拌:靜止蝕刻的效率和質(zhì)量都是很差的,原因是在蝕刻過程中在板面和溶液里會有沉淀生成,而使溶液呈暗綠色,這些沉淀會影響進一步的蝕刻。蘇州觸摸屏生產(chǎn)藥劑供求信息

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