晶體管m1至m3以及晶體管m8的源極與開關(guān)管mp1和mp2的襯底以及晶體管m6和晶體管m9的源極連接。此外，掉電保護(hù)電路402還包括電壓上拉模塊421，電壓上拉模塊421用于在電源電壓正常工作時(shí)將參考電壓vmax上拉至電源電壓，使得模擬開關(guān)電路400可以正常工作。其中，本實(shí)施例的電壓上拉模塊421的結(jié)構(gòu)和功能與圖3中的電壓上拉模塊321的結(jié)構(gòu)和功能完全相同，在此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明的模擬開關(guān)電路還包括掉電保護(hù)電路，掉電保護(hù)電路用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)模擬開關(guān)電路的至少一個(gè)信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開關(guān)的p型開關(guān)管的襯底，控制p型開關(guān)管的襯底電位，使得電源電壓掉電時(shí)p型開關(guān)管的寄生二極管不會(huì)導(dǎo)通。掉電保護(hù)電路還用于在電源電壓掉電時(shí)將該參考電壓提供至模擬開關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電路的供電端，控制p型開關(guān)管的柵極電位，保證電源電壓掉電時(shí)p型開關(guān)管不會(huì)誤導(dǎo)通，有效解決了電源電壓掉電時(shí)的信號(hào)泄露問(wèn)題，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用，工作性能穩(wěn)定可靠，適用范圍***。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，電壓上拉模塊可在電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿意，有想法可以來(lái)我司咨詢！安徽八路模擬開關(guān)板
晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖，圖4中的模擬開關(guān)電路400例如為單刀雙擲開關(guān)，包括模擬開關(guān)401、掉電保護(hù)電路402、驅(qū)動(dòng)電路403、模擬開關(guān)404、以及驅(qū)動(dòng)電路405。模擬開關(guān)401包括開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1，開關(guān)管mp1為pmos管，開關(guān)管mn1為nmos管。開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路402連接，開關(guān)管mn1的襯底接地。江蘇編程八路模擬開關(guān)板批發(fā)價(jià)八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿意，歡迎新老客戶來(lái)電！
off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特征漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有也許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ變動(dòng)至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見到，漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關(guān)在斷開時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí)，CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當(dāng)S1閉合時(shí)，CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1：當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí)，CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來(lái)提供，所以這時(shí)候。
在輸出端引入的誤差會(huì)越小。但同時(shí)，要注意到，流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此，當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在變動(dòng)時(shí)，會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí)，除了要留意chargeinjection的值以外，也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器用到特別的電荷流入掃除電路，可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC，在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開關(guān)敞開時(shí)，在漏極的輸出刪除至源極輸入衰減3dB時(shí)的頻率，如圖20所示。圖20帶寬概念(2).計(jì)算方式圖21簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開關(guān)模型為了簡(jiǎn)化分析，我們忽視RS和CS。根據(jù)圖21中的阻容網(wǎng)絡(luò)，我們可以寫出該電路的傳遞函數(shù)：其中，3dBcutofffrequency:根據(jù)這個(gè)公式，結(jié)合MUX和載荷的參數(shù)，我們就可以算出來(lái)在當(dāng)前條件下MUX的帶寬了。4.通道間串?dāng)_ChanneltoChannelcrosstalk(1).概念圖22通道間串?dāng)_示意圖通道間串?dāng)_概念為當(dāng)已知信號(hào)強(qiáng)加到導(dǎo)通通道的源極引腳時(shí)，在截止通道的源極引腳上出現(xiàn)的電壓。。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開關(guān)板，歡迎新老客戶來(lái)電！
在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開關(guān)板，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！無(wú)錫集成電路八路模擬開關(guān)板價(jià)格
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動(dòng)鐵芯12會(huì)帶活動(dòng)連接塊17同時(shí)向上動(dòng)作，活動(dòng)連接塊17讓***堵氣塊25和***堵氣限位塊26緊密相貼，同時(shí)也讓第二堵氣塊27和第二堵氣限位塊28分開，此時(shí)***流通閥21閉合，第二流通閥22導(dǎo)通，且通過(guò)第二密封塊24的動(dòng)作，不讓氣體混雜，當(dāng)該種多路開關(guān)電磁閥內(nèi)部電路出現(xiàn)故障時(shí)，可以握住拉動(dòng)扣環(huán)14，根據(jù)自己的需來(lái)拉動(dòng)拉動(dòng)扣環(huán)14即可調(diào)節(jié)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背道而馳本實(shí)用新型的精神上或基本特性的狀況下，能夠以其他的實(shí)際形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將施行例視作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述解釋限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的意思和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所關(guān)乎的權(quán)利要求。安徽八路模擬開關(guān)板