歐洲一體整合激光破膜ZILOS-TK

激光破膜儀的優(yōu)勢

1.提升胚胎發(fā)育潛能：激光破膜儀有助于囊胚克服孵化前的結(jié)構(gòu)性阻力，使胚胎內(nèi)外的代謝產(chǎn)物和營養(yǎng)物質(zhì)能夠順利交換，從而提升胚胎的發(fā)育潛能。

2.節(jié)省胚胎能量：通過輔助孵出，激光破膜儀降低了囊胚擴張和孵化所需的能量，節(jié)省了活力較差的胚胎在孵化過程中的能量消耗，提高了移植成功的概率。

3.促進胚胎與子宮內(nèi)膜同步發(fā)育：激光破膜儀幫助胚胎提前孵化，使其能夠更早地與子宮內(nèi)膜接觸，從而實現(xiàn)胚胎和子宮內(nèi)膜的同步發(fā)育，更有助于妊娠成功。激光破膜儀的適用情況激光破膜儀并非***適用，而是針對特定情況的一種輔助手段。如反復種植失敗、透明帶厚度超過15口m、女方年齡≥38歲等情況，可以考慮實施輔助孵化。然而，對于大部分群體而言，并不需要輔助孵化，也不會影響胚胎的著床成功率。 有激光紅外虛擬落點引導功能，可在顯微鏡下直接清晰觀察到激光落點，無需再借助顯示器，提升操作的便捷性。歐洲一體整合激光破膜ZILOS-TK

工作原理播報編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。 [2]香港一體整合激光破膜輔助孵化通過調(diào)節(jié)激光參數(shù)，可根據(jù)不同胚胎的特點進行個性化的輔助孵化，進一步提高胚胎著床率和妊娠成功率。

試管嬰兒技術(shù)給不孕夫婦帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術(shù)成功迎來自己的寶寶?？茖W研究表明，健康的胚胎是成功懷孕的關(guān)鍵。然而，通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常，胚胎染色體異常的風險隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是妊娠失敗和自然流產(chǎn)的主要原因。

健康的胚胎是試管嬰兒成功的第一步。因此，植入前遺傳學篩查越來越受到重視，PGD/PGS應運而生。那么，染色體異常會導致哪些遺傳病，基因檢測是如何進行的呢？染色體問題有多嚴重？首先需要注意的是，能夠順利出生的健康寶寶，其實只是冰山一角。大部分染色體異常的胚胎無法植入、流產(chǎn)或停止，導致自然淘汰。99%的流產(chǎn)是由胎兒引起的，而不是母親。在卵子受精階段，染色體異常的百分比為45%。成功植入胚胎的染色體異常率為25%。在妊娠早期，染色體異常率為15%。研究表明，40歲以上染色體異常的百分比為60%，43歲以上則高達85%。這就證明了即使43歲以上的卵子發(fā)育成囊胚，染色體異常的比例其實很高，這是不可避免的，這也是高齡產(chǎn)婦流產(chǎn)率高的原因。

導電特性圖7 激光二極管二極管**重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。1·正向特性在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后，二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。選擇顯示時間，物鏡信息和報告信息。

激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程，一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷，稱之為自發(fā)輻射；二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發(fā)輻射，即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子，它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發(fā)生的輻射就是受激輻射，它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣。任何的受激發(fā)光系統(tǒng)，即有受激輻射，也有受激吸收，只有受激輻射占優(yōu)勢，才能把外來光放大而發(fā)出激光。而一般光源中都是受激吸收占優(yōu)勢，只有粒子的平衡態(tài)被打破，使高能態(tài)的粒子數(shù)大于低能態(tài)的粒子數(shù)（這樣情況稱為粒子數(shù)反轉(zhuǎn)），才能發(fā)出激光。圖像自動命名，放大率等信息隨圖像保存。香港DTS激光破膜細胞切割

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胚胎激光破膜儀的原理和優(yōu)點

胚胎激光破膜儀是一種專門用于胚胎研究的科學儀器，它采用激光技術(shù)來破膜，以便進行各種實驗和研究。相比傳統(tǒng)的玻璃針穿刺、Peizo機械打孔等方法，胚胎激光破膜儀具有以下優(yōu)點：精確：激光打孔對細胞無擠壓，孔徑小，精確，消除了傳統(tǒng)方法引起的細胞胞質(zhì)外流等缺點，顯著提高存活率。安全：微秒級脈沖有效保證胚胎安全，消除傳統(tǒng)取ICM細胞的弊端。高效：采用紅外激光，替代以前的紫外激光，消除了后者對細胞產(chǎn)生的光毒性，提高了操作效率。 歐洲一體整合激光破膜ZILOS-TK