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DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號線以及時鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號，只能從控制器傳向存儲芯片，而數(shù)據(jù)信號則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號線除了用來尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表。可以看到，DDR 控制器對存儲系統(tǒng)的操作，就是通過控制信號的狀態(tài)和地址信號的組合來完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 是否可以使用多個軟件工具來執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測試？USB測試DDR3測試DDR測試

創(chuàng)建工程啟動SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項,在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區(qū)下方彈出Property界面，左側(cè)為Block之間的連接信息，右側(cè)是模型設(shè)置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對話框。 廣東DDR3測試配件DDR3一致性測試期間是否會影響計算機(jī)性能？

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時的時序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時序要求：

初始時序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示在關(guān)閉時需要等待多久才能開啟并訪問一個新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA：行預(yù)充電時間、行開放時間和行訪問時間，分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時間、行打開后需要等待的短時間以及行訪問的持續(xù)時間。tWR：寫入恢復(fù)時間，表示每次寫操作之間小需要等待的時間。數(shù)據(jù)傳輸時序（Data Transfer Timing）tDQSS：數(shù)據(jù)到期間延遲，表示內(nèi)存控制器在發(fā)出命令后應(yīng)該等待多長時間直到數(shù)據(jù)可用。tDQSCK：數(shù)據(jù)到時鐘延遲，表示從數(shù)據(jù)到達(dá)內(nèi)存控制器到時鐘信號的延遲。tWTR/tRTW：不同內(nèi)存模塊之間傳輸數(shù)據(jù)所需的小時間，包括列之間的轉(zhuǎn)換和行之間的轉(zhuǎn)換。tCL：CAS延遲，即列訪問延遲，表示從命令到讀或?qū)懖僮鞯挠行?shù)據(jù)出現(xiàn)之間的延遲。刷新時序（Refresh Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示多少時間需要刷新一次內(nèi)存行。

 閉賦模型窗口，在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù)，如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說當(dāng)耦合線長度超過lOOmil時，按耦合模型提取，少于lOOmil時，按單線模 型提取。

 單擊Via modeling setup按鈕，在過孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因為要仿真的時鐘頻率是533MHz)。

 單擊OK按鈕，關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在彈出的窗 口中單擊Net Browser..菜單，選擇DDR1_CK這個網(wǎng)絡(luò)(或者可以直接在Allegro界面中選取 網(wǎng)絡(luò))。可以看到因為已經(jīng)設(shè)置好差分線和差分模型，所以會自動帶出差分線DDRl_NCKo DDR3內(nèi)存有哪些常見的容量大小？

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)。以下是對DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz）。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個時鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時序要求，包括初始時序、數(shù)據(jù)傳輸時序、刷新時序等。這些時序要求確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作，并實現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。DDR3一致性測試期間可能發(fā)生的常見錯誤有哪些？廣東測量DDR3測試

DDR3一致性測試是否需要經(jīng)常進(jìn)行？USB測試DDR3測試DDR測試

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)?

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個負(fù)載時，T拓?fù)湫盘栙|(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓?fù)?。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對信號質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D，可以看到2片負(fù)載 時，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵DR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負(fù)載時很多 設(shè)計人員還是習(xí)慣使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 USB測試DDR3測試DDR測試