天津DDR3測試推薦貨源

來源: 發(fā)布時間:2025-05-26

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進而來的,嚴格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡介

代DDR (通常稱為DDR1)接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展,現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布,甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 DDR3一致性測試期間是否會影響計算機性能?天津DDR3測試推薦貨源

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DDR(Double Data Rate)是一種常見的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)技術(shù),它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述:

架構(gòu):DDR系統(tǒng)由多個組件組成,包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負責管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫操作。數(shù)據(jù)傳輸方式:DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率,即在每個時鐘周期內(nèi)進行兩次數(shù)據(jù)傳輸,相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率(SDR),DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中,數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時都進行傳輸,從而實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級:DDR技術(shù)有多個速度等級,如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。速度等級表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬,通常以頻率來表示(例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz)。不同的速度等級對應(yīng)著不同的數(shù)據(jù)傳輸速度和性能。 校準DDR3測試修理DDR3一致性測試是否適用于雙通道或四通道內(nèi)存配置?

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走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過實例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個.brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件,并自動在PowerSI軟件界面中打開。

創(chuàng)建工程啟動SystemSI工具,單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項,在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊,單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框,選擇個模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字,單擊0K按鈕。如圖4-36所示,左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實際的IBIS模型。雙擊Controller模塊,在工作區(qū)下方彈出Property界面,左側(cè)為Block之間的連接信息,右側(cè)是模型設(shè)置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕,彈出LoadIBIS對話框。 如果DDR3一致性測試失敗,是否需要更換整組內(nèi)存模塊?

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 閉賦模型窗口,在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù),如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說當耦合線長度超過lOOmil時,按耦合模型提取,少于lOOmil時,按單線模 型提取。

 單擊Via modeling setup按鈕,在過孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因為要仿真的時鐘頻率是533MHz)。

 單擊OK按鈕,關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在彈出的窗 口中單擊Net Browser..菜單,選擇DDR1_CK這個網(wǎng)絡(luò)(或者可以直接在Allegro界面中選取 網(wǎng)絡(luò))。可以看到因為已經(jīng)設(shè)置好差分線和差分模型,所以會自動帶出差分線DDRl_NCKo 是否可以使用多個軟件工具來執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測試?浙江DDR測試DDR3測試

DDR3一致性測試是否適用于超頻內(nèi)存模塊?天津DDR3測試推薦貨源

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知,對于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計,首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?,也就是?qū)動器能發(fā)出什么樣的信號,接收器能接受和判別什么樣的信號,用術(shù)語講,就是信號的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V,Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實際設(shè)計中,除了要精確設(shè)計供電電源模塊之外,還需要對整個電源系統(tǒng)進行PI仿真,而這是高速系統(tǒng)設(shè)計中另一個需要考慮的問題,在這里我們先不討論它,暫時認為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。 天津DDR3測試推薦貨源