機(jī)械DDR3測試芯片測試

單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段，對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。

單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個(gè)網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)信息，內(nèi) 容包括走線名稱、走線長度百分比、走線阻抗、走線長度、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時(shí)，

單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱，可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 DDR3內(nèi)存的一致性測試可以修復(fù)一致性問題嗎？機(jī)械DDR3測試芯片測試

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個(gè)選項(xiàng)卡，Pin Mapping跟IBIS 規(guī)范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個(gè)管腳對應(yīng)的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應(yīng)關(guān)系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關(guān)的時(shí)鐘參考信號。對于包 含多個(gè)Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進(jìn)行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網(wǎng)絡(luò)的分布參數(shù)模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項(xiàng)，將每條I/O 口和其對應(yīng)的電源地網(wǎng)絡(luò)對應(yīng)起來，以更好地仿真SSN效應(yīng)，這 個(gè)選項(xiàng)通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。河北DDR3測試協(xié)議測試方法如何確保DDR3一致性測試的可靠性和準(zhǔn)確性？

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個(gè)新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo

設(shè)置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設(shè)置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時(shí)影響很大，特別是On-Die Capacitor,需要根據(jù) 實(shí)際情況正確設(shè)定。因?yàn)閷?shí)際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設(shè)置窗口后，Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉，表明這兩個(gè)模塊間連接有問題， 暫時(shí)不管，等所有模型設(shè)置完成后再重新連接。

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口，I/O 口工作電壓為 1.2V；時(shí) 鐘信號頻率為166?533MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時(shí)鐘信號的雙沿釆樣；控制信號速率為166?533Mbps,通過時(shí)鐘信號上升沿 采樣；一般用于板載(Memory?down)設(shè)計(jì)，信號通常為點(diǎn)對點(diǎn)或樹形拓?fù)洌瑳]有ODT功能。

LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口，I/O 口工作電壓為1.2V； 時(shí)鐘信號頻率為667?1066MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號和時(shí)鐘信號的雙沿釆樣；控制信號速率為667?1066Mbps,通過時(shí)鐘上升 沿釆樣；一般用于板載設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)信號一般為點(diǎn)對點(diǎn)拓?fù)?，命令地址和控制信號一般也釆?Fly-by走線，有些情況下可以使用樹形走線；數(shù)據(jù)和選通信號支持ODT功能；也支持使用 Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號間的延時(shí)偏移。 DDR3內(nèi)存有哪些常見的容量大小？

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述：

架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫操作。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。速度等級表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。不同的速度等級對應(yīng)著不同的數(shù)據(jù)傳輸速度和性能。 如果DDR3一致性測試失敗，是否需要更換整組內(nèi)存模塊？山西信息化DDR3測試

進(jìn)行DDR3一致性測試時(shí)如何準(zhǔn)備備用內(nèi)存模塊？機(jī)械DDR3測試芯片測試

單擊Next按鈕，出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口，確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。

  單擊Save File with Error Check保存文件，保存結(jié)束后，單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后，仿真結(jié)果包括Workflow中Results and Report的所有內(nèi)容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時(shí)選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真結(jié)果只有 Net Impedance Summary 和 Net Co叩ling Summaryo

  單擊Net Impedance Summary,出現(xiàn)阻抗總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱、無參 考平面的走線數(shù)目、回流不連續(xù)的走線數(shù)目、過孔數(shù)目、比較大阻抗值、小阻抗值、主導(dǎo)阻 抗值、主導(dǎo)阻抗走線長度百分比、走線總長度、走線延時(shí)。 機(jī)械DDR3測試芯片測試