江蘇貼片ESD保護(hù)元件選型

在高頻接口還可以采用電阻衰減網(wǎng)絡(luò)和LC濾波電路形成ESD保護(hù)。電阻衰減網(wǎng)絡(luò)在很寬的頻帶范圍都有較好的適應(yīng)性，但是它在衰減ESD脈沖的同時，對高頻信號進(jìn)行同比例衰減，改變了電路系統(tǒng)的增益分配，而且在低噪聲要求的高頻接口不能采用此方法。從圖1的ESD頻譜可見，數(shù)百MHz以下的高頻接口很難使用濾波方法實現(xiàn)ESD防護(hù)，只有在GHz以上的高頻接口且使用LC高通濾波器才具有可實現(xiàn)性。適用于高頻信號接口的ESD防護(hù)電路必須有很小的并聯(lián)結(jié)電容、較小的串聯(lián)電感和很快的響應(yīng)速度，這對防護(hù)器件參數(shù)的選取、PCB布局的寄生參數(shù)控制、阻抗匹配以及布板面積都有較高的要求，實際實現(xiàn)起來并不簡單。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強(qiáng)的器件。江蘇貼片ESD保護(hù)元件選型

TVS/ESD靜電保護(hù)元件陣列，ESD靜電保護(hù)元器件RLESD保護(hù)器件可避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD的。可提供非常低的電容，與其他同類元件相比具有更優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數(shù)（高達(dá)1000）之后。該器件可比傳統(tǒng)的聚合物SEO器件提供更低的觸發(fā)電壓和更低的箝拉電壓，進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。靜電保護(hù)元件(ElertroStaticDischargedProtection)簡稱ESD，是一種過壓保護(hù)元件，是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計的器件。RLESD保護(hù)器件是用來避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響?？商峁┓浅５偷碾娙荩哂袃?yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數(shù)高達(dá)1000之后，進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。 山東高浪涌ESD保護(hù)元件選型靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設(shè)計非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設(shè)計非常有利。

ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場，瞬時大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖?！る娏?gt;1A，·上升時間～15ns，衰減時間～150ns。ESD靜電放電的特點：靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離。**經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強(qiáng)電場和寬帶電磁干擾等特點。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求。

ESD策略，ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護(hù)器件的ESD脈沖能量比較低，同時要求防護(hù)電路對正常工作信號的損耗和失真**小。因此設(shè)計ESD防護(hù)電路的基本指導(dǎo)思想是:對ESD信號來說，接口輸入點和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量小，而接口輸入點和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量大;對工作信號來說，接口輸入點和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量大，而接口輸入點和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量小。**的電浪涌防護(hù)器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS半導(dǎo)體閘流管瞬態(tài)抑制器件TSS、快速開關(guān)二極管等。ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護(hù)器件的響應(yīng)速度要求較高。福建高浪涌ESD保護(hù)元件原理

硅基ESD保護(hù)器件的結(jié)電容與其芯片面積成正比關(guān)系。江蘇貼片ESD保護(hù)元件選型

靜電ESD保護(hù)元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風(fēng)險，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計選型時盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。江蘇貼片ESD保護(hù)元件選型

上海來明電子有限公司是一家集生產(chǎn)科研、加工、銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，公司成立于2010-08-11，位于靈山路1000弄2號808。公司誠實守信，真誠為客戶提供服務(wù)。公司主要經(jīng)營TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產(chǎn)品，我們依托高素質(zhì)的技術(shù)人員和銷售隊伍，本著誠信經(jīng)營、理解客戶需求為經(jīng)營原則，公司通過良好的信譽和周到的售前、售后服務(wù)，贏得用戶的信賴和支持。公司與行業(yè)上下游之間建立了長久親密的合作關(guān)系，確保TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容在技術(shù)上與行業(yè)內(nèi)保持同步。產(chǎn)品質(zhì)量按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn)，絕不因價格而放棄質(zhì)量和聲譽。上海來明電子有限公司依托多年來完善的服務(wù)經(jīng)驗、良好的服務(wù)隊伍、完善的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的合作伙伴，目前已經(jīng)得到電子元器件行業(yè)內(nèi)客戶認(rèn)可和支持，并贏得長期合作伙伴的信賴。