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B 絕緣性測(cè)試。用萬用表R×10k擋分別測(cè)量鐵心與初級(jí)，初級(jí)與各次級(jí)、鐵心與各次級(jí)、靜電屏蔽層與衩次級(jí)、次級(jí)各繞組間的電阻值，萬用表指針均應(yīng)指在無窮大位置不動(dòng)。否則，說明變壓器絕緣性能不良。C 線圈通斷的檢測(cè)。將萬用表置于R×1擋，測(cè)試中，若某個(gè)繞組的電阻值為無窮大，則說明此繞組有斷路性故障。D 判別初、次級(jí)線圈。電源變壓器初級(jí)引腳和次級(jí)引腳一般都是分別從兩側(cè)引出的，并且初級(jí)繞組多標(biāo)有220V字樣，次級(jí)繞組則標(biāo)出額定電壓值，如15V、24V、35V等。再根據(jù)這些標(biāo)記進(jìn)行識(shí)別。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實(shí)際翻譯的時(shí)候是不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯。蘇州新型電子元器件銷售供應(yīng)商家

11、TCP (Tape Carrier Package)柔性線路板，IC可固定于其上12、STN （Super Twisted Nematic）帶有約180度到270度扭曲向列的顯示類型13、tf (Fall Time)響應(yīng)速度：下降沿時(shí)間14、TN (Twisted Nematic)帶有約90度扭曲向列的顯示類型15、TNR (Tn With Retardation Film)一種彩色顯示，它不采用彩色濾光片，而是在普通TN玻璃上附加上光程補(bǔ)償片16、tr (Rise Time)響應(yīng)速度：上升沿時(shí)間17、Vop (Operating Voltage)LCD驅(qū)動(dòng)電壓18、Vth (Threshold Voltage)宜興新型電子元器件銷售廠家供應(yīng)一、元件：工廠在加工時(shí)沒改變?cè)牧戏肿映煞值漠a(chǎn)品可稱為元件。

B 將一光源對(duì)準(zhǔn)光敏電阻的透光窗口，此時(shí)萬用表的指針應(yīng)有較大幅度的擺動(dòng)，阻值明顯減些 此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大，表明光敏電阻內(nèi)部開路損壞，也不能再繼續(xù)使用。C 將光敏電阻透光窗口對(duì)準(zhǔn)入射光線，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動(dòng)，使其間斷受光，此時(shí)萬用表指針應(yīng)隨黑紙片的晃動(dòng)而左右擺動(dòng)。如果萬用表指針始終停在某一位置不隨紙片晃動(dòng)而擺動(dòng)，說明光敏電阻的光敏材料已經(jīng)損壞。電容器1 固定電容器的檢測(cè)

1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。電容的特性主要是隔直流通交流。

自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步，在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義：它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學(xué)技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進(jìn)的工具，進(jìn)而產(chǎn)生了許多更為先進(jìn)的技術(shù)。這些先進(jìn)的技術(shù)有進(jìn)一步促使更高性能、更廉價(jià)的集成電路的出現(xiàn)。對(duì)電子器件來說，體積越小，集成度越高；響應(yīng)時(shí)間越短，計(jì)算處理的速度就越快；傳送頻率就越高，傳送的信息量就越大。半導(dǎo)體工業(yè)和半導(dǎo)體技術(shù)被稱為現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)，同時(shí)也已經(jīng)發(fā)展稱為一個(gè)相對(duì)**的高科技產(chǎn)業(yè)。 [1電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。徐州優(yōu)勢(shì)電子元器件銷售客服電話

電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。蘇州新型電子元器件銷售供應(yīng)商家

A 檢測(cè)10pF以下的小電容 因10pF以下的固定電容器容量太小，用萬用表進(jìn)行測(cè)量，只能定性的檢查其是否有漏電，內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測(cè)量時(shí)，可選用萬用表R×10k擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳，阻值應(yīng)為無窮大。若測(cè)出阻值(指針向右擺動(dòng))為零，則說明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。B 檢測(cè)10pF～0.01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進(jìn)而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要選用3DG6等型號(hào)硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用，把被測(cè)電容的充放電過程予以放大，使萬用表指針擺幅度加大，從而便于觀察。應(yīng)注意的是：在測(cè)試操作時(shí)，特別是在測(cè)較小容量的電容時(shí)，要反復(fù)調(diào)換被測(cè)電容引腳接觸A、B兩點(diǎn)，才能明顯地看到萬用表指針的擺動(dòng)。蘇州新型電子元器件銷售供應(yīng)商家

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