PD快充(PowerDelivery)是USB連接器中的一種新的快速充電技術(shù),在使用期間具有喚醒、智能協(xié)商、安全設(shè)置及實(shí)時(shí)監(jiān)控功能,將充電過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更高的效率、更安全的功率傳輸。PD快充是目前較完善的快充協(xié)議,最大支持功率可以達(dá)到100W以上,目前常見(jiàn)功率是18W,30W,45W,60/65W等,常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域包括:手機(jī)快充、筆記本快充、平板快充、通訊電源、車(chē)載充電等。
功率MOSFET作為PD快充的重要原件,在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中發(fā)揮著重要的作用,無(wú)錫商甲半導(dǎo)體可以提供完善的PD快充MOSFET解決方案。高壓PFC&Flyback采用650VSJMOSFETG1系列產(chǎn)品,具備低導(dǎo)通內(nèi)阻,低Rg和低電容的特性,能更大限度的降低功率損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率;同步整流MOSFET選用商甲半導(dǎo)體中壓SGT系列產(chǎn)品,產(chǎn)品內(nèi)阻低,柵電荷低,能滿(mǎn)足同步整流電路高頻大電流的要求; 電壓低時(shí),溝道消失,電流阻斷,憑借此獨(dú)特開(kāi)關(guān)特性,在數(shù)字和模擬電路應(yīng)用。中國(guó)臺(tái)灣送樣MOSFET供應(yīng)商聯(lián)系方式
無(wú)錫商甲半導(dǎo)體中低壓 MOSFET 為 BMS 提供了可靠保障。導(dǎo)通電阻和柵極電荷低,意味著在電流傳輸中消耗的能量少,系統(tǒng)溫升得到有效控制,延長(zhǎng)了 BMS 內(nèi)部元件的使用壽命??寡┍滥芰?qiáng),能應(yīng)對(duì)電池工作時(shí)可能出現(xiàn)的能量沖擊,保護(hù)系統(tǒng)免受損壞。抗短路能力強(qiáng)可在電路短路瞬間發(fā)揮作用,防止故障擴(kuò)大。參數(shù)一致性好,讓 BMS 的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)更順暢,減少了因器件差異導(dǎo)致的調(diào)試難題,降低失效概率。同時(shí),高可靠性使其在極端條件下也能正常工作,滿(mǎn)足 BMS 的應(yīng)用需求。浙江送樣MOSFET供應(yīng)商價(jià)格行情先進(jìn)技術(shù)加持,先試為快,別錯(cuò)過(guò)哦!
電 子?煙是一種模仿卷 煙的電子產(chǎn)品,其原理是通過(guò)加熱將電 子 煙油霧化的過(guò)程,而霧化是通過(guò)電熱絲瞬間大電流大功率來(lái)實(shí)現(xiàn)。電 子 煙由功率大小分為小煙和大煙兩種。小煙功率一般20W以下,發(fā)熱量100-200度之間;大煙功率一般20W以上,發(fā)熱量200-500度之間。小煙是利用控制單顆MOSFET占空比大小控制電熱絲電流,通常使用12VP-20VPMOSFET,對(duì)內(nèi)阻要求較高。無(wú)錫商甲半導(dǎo)體該領(lǐng)域MOSFET型號(hào)齊全,產(chǎn)品內(nèi)阻低且參數(shù)穩(wěn)定。大煙由于功率高,一般采用DC-DC變壓以提升電壓和電流大小,通常使用30VNSGT大電流MOSFET,常見(jiàn)PDFN3X3-8L和PDFN5X6-8L封裝形式。無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供的30VNSGTMOSFET內(nèi)阻低,電容小,可輕松實(shí)現(xiàn)500K-1MHZ的高頻要求;成品設(shè)計(jì)體積小,電流密度大,內(nèi)置寄生二極管性能好,且具備更高的可靠性。
商甲半導(dǎo)體 MOSFET 產(chǎn)品擊穿電壓覆蓋 12V 至 1200V 全范圍,電流承載能力從 50mA 延伸至 600A,無(wú)論是微型傳感器供電還是大型工業(yè)設(shè)備驅(qū)動(dòng),都能匹配您的電路設(shè)計(jì)需求,為各類(lèi)電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率控制**。
采用第三代溝槽柵工藝技術(shù)的商甲半導(dǎo)體 MOSFET,導(dǎo)通電阻(RDS (on))較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低 35% 以上,在 175℃高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的導(dǎo)電性能,有效減少功率損耗,大幅提升電能轉(zhuǎn)換效率,特別適合對(duì)能效要求嚴(yán)苛的電源設(shè)備。
針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景,商甲半導(dǎo)體優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使柵極電荷(Qg)降低 28%,開(kāi)關(guān)速度提升 40%,在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、高頻逆變器等設(shè)備中可減少開(kāi)關(guān)損耗,助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率和功率密度。 公司運(yùn)營(yíng)為Fabless模式,芯片自主設(shè)計(jì)并交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行代工生產(chǎn)。
選擇適合特定應(yīng)用場(chǎng)景的 MOSFET,需要結(jié)合應(yīng)用的主要需求(如電壓、電流、頻率、散熱條件等)和 MOSFET 的關(guān)鍵參數(shù)(如耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度等)進(jìn)行匹配,同時(shí)兼顧可靠性、成本及封裝適配性。
不同應(yīng)用對(duì)MOSFET的性能要求差異極大,首先需鎖定應(yīng)用的主要參數(shù),例如:
電源類(lèi)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器、充電器):關(guān)注效率(導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗)、工作頻率、散熱能力;
電機(jī)驅(qū)動(dòng)(如無(wú)人機(jī)電機(jī)、工業(yè)電機(jī)):關(guān)注持續(xù)電流、峰值電流、開(kāi)關(guān)速度(影響電機(jī)響應(yīng));
汽車(chē)電子(如車(chē)載充電機(jī)、BMS):關(guān)注高溫可靠性(125℃+)、耐壓冗余、抗振動(dòng)能力;
消費(fèi)電子(如手機(jī)電源管理):關(guān)注封裝尺寸(小型化)、靜態(tài)功耗(降低待機(jī)損耗)。
需求可歸納為:電壓等級(jí)、電流大小、工作頻率、環(huán)境溫度、空間限制。 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是電子領(lǐng)域的關(guān)鍵可控硅器件。天津什么是MOSFET供應(yīng)商批發(fā)價(jià)
80-250V產(chǎn)品主要用于低壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆變器、儲(chǔ)能、BMS、LED。中國(guó)臺(tái)灣送樣MOSFET供應(yīng)商聯(lián)系方式
在各類(lèi)電池的 BMS 中,無(wú)錫商甲半導(dǎo)體中低壓 MOSFET 表現(xiàn)優(yōu)異。導(dǎo)通電阻和柵極電荷低的特性,減少了功率損耗,使 BMS 的溫度控制更輕松,避免因過(guò)熱影響其他元件。抗雪崩能力強(qiáng)是一大優(yōu)勢(shì),電池充放電過(guò)程中可能出現(xiàn)的能量波動(dòng),不會(huì)輕易對(duì)系統(tǒng)造成損害??苟搪纺芰Υ_保了電路短路時(shí)的安全性,為 BMS 提供了可靠保護(hù)。參數(shù)一致性好讓裝配和調(diào)試更便捷,減少了因器件參數(shù)偏差帶來(lái)的麻煩,降低產(chǎn)品失效概率。其可靠性更是經(jīng)過(guò)考驗(yàn),在極端環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作,滿(mǎn)足 BMS 的嚴(yán)苛要求。中國(guó)臺(tái)灣送樣MOSFET供應(yīng)商聯(lián)系方式