浙江貼片陶瓷電容器組

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-20

用鉭粉壓制成型,經(jīng)過(guò)燒結(jié)后作為電容器的陽(yáng)極,后經(jīng)過(guò)化學(xué)方法在其表面生成氧化膜作為介質(zhì),而在表面生成二氧化錳作為陰極由于使用金屬鉭做介質(zhì),不需要像普通電解電容那樣使用電解液,另外,鉭電容不需像普通電解電容那樣使用鍍了鋁膜的電容紙燒制,所以本身幾乎沒(méi)有電感,但同時(shí)也限制了它的容量此外,鉭電容內(nèi)部沒(méi)有電解液,很適合在高溫下工作它被應(yīng)用于大容量濾波的地方,像cpu插槽附近就可以看到鉭電容的身影,多同陶瓷電容,電解電容配合使用或是應(yīng)用于電壓、電流不大的地方。折疊編輯本段產(chǎn)品作用1、穩(wěn)壓防治電壓抖動(dòng)及濾波的作用 2.由于體積小容量大,適用于較小空間 3. 隨溫度的升高,穩(wěn)定性要優(yōu)于瓷片電容。1825封裝尺電容電阻找深圳市康業(yè)軒電子有限公司。浙江貼片陶瓷電容器組

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   容選形時(shí)需要考慮的因素很多,以下探討了MLCC的電容選型要素。[2]:但但滿(mǎn)足參數(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠購(gòu)買(mǎi)商品的一般決策邏輯是:能不能用,好不好用,耐不耐用,價(jià)格。其實(shí)這個(gè)邏輯也可以套用到MLCC的選型過(guò)程中:首先MLCC參數(shù)要滿(mǎn)足電路要求,其次就是參數(shù)與介質(zhì)是否能讓系統(tǒng)工作在狀態(tài);再次,來(lái)料MLCC是否存在不良品,可靠性如何,價(jià)格是否有優(yōu)勢(shì),供應(yīng)商配合是否及時(shí)。許多設(shè)計(jì)工程師不重視無(wú)源元件,以為但靠理論計(jì)算出參數(shù)就行,其實(shí),MLCC的選型是個(gè)復(fù)雜的過(guò)程,并不是簡(jiǎn)單的滿(mǎn)足參數(shù)就可以的。2.選型要素-參數(shù):電容值、容差、耐壓、使用溫度、尺寸-材質(zhì)-直流偏置效應(yīng)-失效-價(jià)格與供貨3.不同介質(zhì)性能決定了MLCC不同的應(yīng)用-C0G電容器具有高溫度補(bǔ)償特性,適合作旁路電容和耦合電容-X7R電容器是溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器,適合要求不高的工業(yè)應(yīng)用-Z5U電容器特點(diǎn)是小尺寸和低成本,尤其適合應(yīng)用于去耦電路-Y5V電容器溫度特性差,但容量大,可取代低容鋁電解電容MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介質(zhì)規(guī)格,不同的規(guī)格有不同的特點(diǎn)和用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同。

   高精密貼片電阻-AR系列的特性與用途-超精密性±~±1%-TaN和NiCr真空濺鍍-溫度系數(shù)只有±5PPM/°C~±50PPM/°C-WideR-Valuerange-ProductswithPb-freeTerminationsMeetRoHSRequirments常應(yīng)用于-醫(yī)療設(shè)備-精密量測(cè)儀器-電子通訊,轉(zhuǎn)換器,印表機(jī)-AutomaticEquipmentController-CommunicationDevice,Cellphone,GPS,PDA-一般消費(fèi)性產(chǎn)品常規(guī)系列薄膜貼片電阻GeneralpurposethinfilmGeneralpurposethinfilm,0201-2512低阻值貼片電阻LowohmicLowohmic,0402-1206Lowohmic,2010-2512貼片電阻陣列ArraysArrays,convexandconcave貼片電流傳感器SMDcurrentsensorsCurrentSensors-LowTCR貼片網(wǎng)絡(luò)電阻器NetworkNetwork,T-typeandL-type另有貼片厚膜排阻,貼片打線(xiàn)電阻,貼片高壓電阻,貼片功率電阻等!手機(jī)觸屏是什么原理?——電容和電容傳感器。

折疊NPO電容器NPO是一種常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗**穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對(duì)大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。 實(shí)際上電氣電路和電子電路沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別,電氣電路可以看成放大了的電子電路。瓷介電容與電阻

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   折疊Z5U電容器Z5U電容器稱(chēng)為"通用"陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在相同的體積下Z5U電容器有比較大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的老化率比較大可達(dá)每10年下降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應(yīng),使其具有***的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。封裝DC=25VDC=50V0805μμFμμF1206μμFμμF1210μμFμμF2225μF---1μFμF---1μFZ5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍10℃---85℃溫度特性22%-----56%介質(zhì)損耗比較大4%。浙江貼片陶瓷電容器組