江蘇直銷MLCC電容源頭直供

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-03-08

多層陶瓷電容在開發(fā)板上應(yīng)該是用到的**多的器件了。雖然只是一個(gè)小小的無源器件,在使用過程中,也會(huì)常常出現(xiàn)問題。5道MLCC**常見的問題:MLCC的特性、高介電常數(shù)型與溫度補(bǔ)償型兩種電容的區(qū)別、低溫環(huán)境中使用多層陶瓷電容器是否存在問題、為何會(huì)產(chǎn)生嘯叫,MLCC比較大的兩大特性是:具備靜電容量隨溫度變化而變化的溫度特性,及較好的高頻特性即低ESL、低ESR。先說溫度特性:陶瓷電容器分為溫度補(bǔ)償型與高誘電型。由于各種溫度條件下的靜電容量變化情況各不相同,因此需要根據(jù)電容的特點(diǎn)來確定其用途。高壓電容電阻找深圳市康業(yè)軒電子有限公司。江蘇直銷MLCC電容源頭直供

電容是描述導(dǎo)體或?qū)w系容納電荷的性能的物理量。孤立導(dǎo)體的電容把電荷Q充到孤立導(dǎo)體上,它的電位U與Q成正比,Q/U與Q無關(guān),取決于孤立導(dǎo)體的形狀和大小,它反映了孤立導(dǎo)體容納電荷的能力,因而定義為孤立導(dǎo)體的電容,用C表示,C=Q/U。孤立導(dǎo)體的電容等于導(dǎo)體升高單位電位所需的電量。電容的國際制單位為法拉,簡稱法,用F表示,是一個(gè)非常大的單位。如將地球看作孤立導(dǎo)體,其電容只有709×-6法,所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)為單位。如果把另一個(gè)帶負(fù)電的導(dǎo)體移近孤立導(dǎo)體,后者的電位就下降,可見非孤立導(dǎo)體的電位不*與它自己所帶電量的多少有關(guān),還取決于周圍其他導(dǎo)體的相對位置。電容器如果帶電導(dǎo)體A被一封閉導(dǎo)體空腔B所包圍,則因空腔的屏蔽作用,AB之間的電位差不受腔外帶電體的影響,A所帶的電量同A及B的電位差成比例。實(shí)際上,腔體封密的限制并不太高,即使A、B二導(dǎo)體為間距不大的一對導(dǎo)體板(同軸圓柱或平行平面板),如果QA為導(dǎo)體A上與導(dǎo)體B相對的側(cè)面上的電量,則上述比例關(guān)系仍保持不變。這對互相絕緣的導(dǎo)體構(gòu)成電容器,這對導(dǎo)體則稱為電容器的一對極板。把電壓U接到電容器的一對極板上,它們得到大小相等、符號(hào)相反的電荷±Q,電位差UA-UB=U。天津直銷MLCC電容市場?在布局的時(shí)候,也可以優(yōu)化布局,電容彼此之間交錯(cuò)排列,抑制振動(dòng)。

開關(guān)電源本身紋波就大,多相開關(guān)電源具有紋波小、電流大的優(yōu)點(diǎn),通過交錯(cuò)相位,可以有效減小電源的紋波進(jìn)而抑制嘯叫。抑制嘯叫,除了上述軟件、參數(shù)、架構(gòu)的修改之外,一個(gè)典型的方案是使用抗嘯叫電容,比如村田KRM系列和ZRB系列。其特殊的結(jié)構(gòu)可降低電容器的嘯叫現(xiàn)象,可吸收由熱量和機(jī)械沖擊引起的應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)高可靠性。相比于Ta電容,抗嘯叫MLCC電壓變動(dòng)⊿V比初期小7~22%。在布局的時(shí)候,也可以優(yōu)化布局,電容彼此之間交錯(cuò)排列,抑制振動(dòng)。

在筆記本電腦中,當(dāng)電腦處于休眠狀態(tài),或者啟動(dòng)攝像頭時(shí),容易產(chǎn)生嘯叫。在手機(jī)中,**典型的一個(gè)案例是GSM所用的PA電源,此電源線上的特點(diǎn)是功率波動(dòng)大、波動(dòng)頻率為典型的217Hz,落入人耳聽覺范圍內(nèi)(20Hz~20Khz),當(dāng)GSM通話時(shí),用**聽診器聽此電源線上的電容,很容易聽到“滋滋”嘯叫音。如何抑制?1.BUCK電源通常有PWM和PFM兩種工作模式。PWM工作模式時(shí)紋波小,用在負(fù)載功耗比較高的條件下,為了避免BUCK在PWM工作模式時(shí),給電容充電的開關(guān)頻率進(jìn)入人耳范圍內(nèi)引起嘯叫,有的電源的開關(guān)頻率會(huì)刻意避開20hz~20Khz這個(gè)開關(guān)頻率。0201封裝尺電容電阻找深圳市康業(yè)軒電子有限公司。

大家記住,雖然陶瓷電容器具有體積小、低阻抗、無極性等特點(diǎn),但同時(shí)也有其缺點(diǎn),即其靜電容量會(huì)隨著溫度、電壓(DC、AC)、頻率以及時(shí)間的變化而發(fā)生變化。測量靜電容量時(shí),需要按照規(guī)定的測量條件實(shí)施測量。此外,在設(shè)計(jì)電路時(shí),使用前需充分考慮到相應(yīng)的使用環(huán)境條件下的陶瓷電容器的特性。這個(gè)也是很常見的問題了,由于具有強(qiáng)介電性的陶瓷的電致效應(yīng),在施加交流電壓時(shí),獨(dú)石陶瓷電容器貼片會(huì)發(fā)生疊層方向伸縮。因此電路板也會(huì)平行方向伸縮,而因電路板的振動(dòng)而產(chǎn)生了噪聲。雖然貼片及電路板的振幅*為1pm~1nm左右,但發(fā)出的聲響卻十分大。深圳市康業(yè)軒電子有限公司是眾多MLCC電容器原廠授權(quán)分銷商.上海原裝MLCC電容高品質(zhì)選擇

MLCC電容器發(fā)生嘯叫主要是由陶瓷的壓電效應(yīng)引起的。江蘇直銷MLCC電容源頭直供

    在了解MLCC電容的時(shí)候,我們也需要知道表面層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)及其等效電路。表面介質(zhì)層的方法很多,這里作簡單介紹。在BaTiO3導(dǎo)體陶瓷的兩個(gè)平行平面上燒滲銀電極,銀電極和半導(dǎo)體陶瓷的接觸介面就會(huì)形成極薄的阻擋層。由于Ag是一種電子逸出功較大的金屬,所以在電場作用下,BaTiO3導(dǎo)體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會(huì)出現(xiàn)缺乏電子的阻擋層,而阻擋層本身存在著空間電荷極化,即介面極化。這樣半導(dǎo)體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構(gòu)成了實(shí)際上的介質(zhì)層。這種電容器瓷件,先在大氣氣氛中燒成,然后在還原氣氛中強(qiáng)制還原半導(dǎo)化,再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質(zhì)層。再氧化層的厚度應(yīng)控制適當(dāng)。若氧化膜太薄,電極和陶瓷間仍可呈現(xiàn)pn結(jié)的整流特性,絕緣電阻和耐電強(qiáng)度都得不到改善。隨著厚度的逐漸增加,pn結(jié)的整流特性消失,絕緣電阻提高,對直流偏壓的依存性降低。但是,再氧化的時(shí)間不宜過長,否則可能導(dǎo)致陶瓷內(nèi)部重新再氧化而使電容器的容量降低。還原處理的溫度為800~1200℃,再氧化處理的溫度為500~900℃。經(jīng)還原處理后的陶瓷材料,絕緣電阻率可降至10~103Ω·cm,表面層的電阻率低于內(nèi)部瓷體的電阻率;薄瓷片的電阻率。了解更多,歡迎致電康業(yè)軒電子。江蘇直銷MLCC電容源頭直供