折疊NPO電容器NPO是一種常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗**穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對(duì)大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。 圖文講解村田電容的包裝知識(shí)。坪山優(yōu)良村田電容tkd
MLCC常見的問題：多層陶瓷電容器具備何種特性？MLCC兩大特性是：具備靜電容量隨溫度變化而變化的溫度特性，及較好的高頻特性即低ESL、低ESR。先說溫度特性：陶瓷電容器分為溫度補(bǔ)償型與高誘電型。由于各種溫度條件下的靜電容量變化情況各不相同，因此需要根據(jù)電容的特點(diǎn)來確定其用途。像日本所采用的JIS規(guī)格、歐洲所采用的EIA規(guī)格均做出了詳細(xì)的分類：1）溫度補(bǔ)償型的電容：溫度變化所造成的靜電容量變化率較小，主要用于濾波、高頻電路的耦合。當(dāng)線圈與電容器被結(jié)合使用時(shí)，線圈的電感會(huì)隨著溫度的上升而增加，這時(shí)則可以利用負(fù)溫度系數(shù)電容器來進(jìn)行修正。2）高誘電型的電容：是一種采用了介電常數(shù)較高材料的電容器，具有靜電容量較高的特點(diǎn)。主要作為電源電路的去耦電容器或平滑電路使用。與溫度補(bǔ)償型電容器相比，由于溫度能夠造成的靜電容量變化較大，因此當(dāng)用于濾波器等信號(hào)電路中時(shí)需要十分注意。再來看看低ESR、低ESL特性：實(shí)際的電容器，他不是一個(gè)干凈的電容，還存在ESR（等效串聯(lián)電阻)和ESL(等效串聯(lián)電感)。與其他種類的電容器相比，MLCC具有良好的高頻特性，具備能夠減小電阻及殘余電感的構(gòu)造。 坪山進(jìn)口村田電容編碼規(guī)則村田電容器家族產(chǎn)品,這里總結(jié)全了!康業(yè)軒。
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5G是對(duì)第五代網(wǎng)絡(luò)的縮寫，5G時(shí)代是一個(gè)充滿商機(jī)的時(shí)代，影響的不止是互聯(lián)網(wǎng)，還有物聯(lián)網(wǎng)和手機(jī)，轉(zhuǎn)眼間，3G成為歷史;4G淪為主流;5G蓄勢(shì)待發(fā)。智能手機(jī)的問世加速了通訊技術(shù)的變革。3G、4G網(wǎng)絡(luò)的誕生讓智能手機(jī)廠商迅速發(fā)展，國產(chǎn)小米、華為、vivo等智能手機(jī)就是例子。
為什么會(huì)有如此大的商機(jī)?
手機(jī)的強(qiáng)大功能使我們的生活變得簡(jiǎn)單，也越來越多的人開始使用手機(jī)，2017年11月三大運(yùn)營商統(tǒng)計(jì)的我國移動(dòng)電話用戶使用量高達(dá)總數(shù)14.03億，而隨著5g網(wǎng)絡(luò)的到來很多的行業(yè)也將逐漸被替代，移動(dòng)硬盤將會(huì)是*個(gè)被淘汰者，由于網(wǎng)速的提高人們不再使用移動(dòng)硬盤儲(chǔ)存文件，從而改用網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)盤。商機(jī)無處不在就看是否能夠把握。
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計(jì)算中使用的電壓加速系數(shù)、溫度加速系數(shù)會(huì)由陶瓷材料的種類及構(gòu)造產(chǎn)生不同，但通過加速計(jì)算公式可在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)利用試驗(yàn)結(jié)果來驗(yàn)證長時(shí)間的實(shí)際使用環(huán)境中的產(chǎn)品使用壽命?！?電壓加速系數(shù)的推算方法的相關(guān)說明在推算陶瓷電容的產(chǎn)品壽命時(shí)，我們把實(shí)驗(yàn)溫度固定，將加載電壓設(shè)為參數(shù)來進(jìn)行MlCC的試驗(yàn)樣本的壽命試驗(yàn)。把各個(gè)加載電壓下的試驗(yàn)結(jié)果（平均壽命MTTF）通過韋伯分析方法近似推算加載電壓對(duì)數(shù)與平均壽命對(duì)數(shù)的斜率，并將其作為電壓加速系數(shù)?！?反應(yīng)活化能的推算方法的相關(guān)說明和上述溫度加速系數(shù)的推算方法類似，我們把加載電壓固定，將實(shí)驗(yàn)溫度設(shè)為參數(shù)來進(jìn)行MlCC的試驗(yàn)樣本的壽命試驗(yàn)。把各個(gè)實(shí)驗(yàn)溫度下的試驗(yàn)結(jié)果（平均壽命MTTF）通過韋伯分析方法近似推算溫度（溫度）的倒數(shù)與平均壽命對(duì)數(shù)的斜率，并將其作為反應(yīng)活化能。坪山優(yōu)良村田電容tkd