現代電力電子技術的發(fā)展方向，是從以低頻技術處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學，向以高頻技術處理問題為主的現代電力電子學方向轉變。電力電子技術起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其發(fā)展先后經歷了整流器時代、逆變器時代和變頻器時代，并促進了電力電子技術在許多新領域的應用。八十年代末期和九十年代初期發(fā)展起來的、以功率MOSFET和IGBT為的、集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導體復合器件，表明傳統(tǒng)電力電子技術已經進入現代電力電子時代。大功率的工業(yè)用電由工頻(50Hz)交流發(fā)電機提供，但是大約20%的電能是以直流形式消費的，其中典型的是電解(有色金屬和化工原料需要直流電解)、牽引(電氣機車、電傳動的內燃機車、地鐵機車、城市無軌電車等)和直流傳動(軋鋼、造紙等)三大領域。大功率硅整流器能夠高效率地把工頻交流電轉變?yōu)橹绷麟?，因此在六十年代和七十年代，大功率硅整流管和晶閘管的開發(fā)與應用得以很大發(fā)展，當時國內曾經掀起了-股各地大辦硅整流器廠的熱潮。全國小小的制造硅整流器的半導體廠家就是那時的產物。逆變器時代七十年代出現了世界范圍的能源危機，交流電機變頻調速因節(jié)能效果而迅速發(fā)展。不間斷電源(UPS)是計算機、通信系統(tǒng)以及要求提供不能中斷場合所必須的一種高可靠、高性能的電源。蕪湖新一代電子技術
1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩(wěn)定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發(fā)成功的同時，結型晶體管論就已經提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后，結型晶體管材真正得以出現。1950年，具有使用價值的早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時代。逐步形成作為高技術產業(yè)的半導體工業(yè)。由于社會發(fā)展的需要，電子裝置變的越來越復雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質量輕、小型化、成本低等特點。自20世紀50年代提出集成電路的設想后。南京應用電子技術信息推薦電子技術研究的是電子器件及其電子器件構成的電路的應用。
變頻調速的關鍵技術是將直流電逆變?yōu)?~100Hz的交流電。在七十年代到八十年代，隨著變頻調速裝置的普及，大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管(GTR)和門極可關斷晶閘管(GT0)成為當時電力電子器件的主角。類似的應用還包括高壓直流輸出，靜止式無功功率動態(tài)補償等。這時的電力電子技術已經能夠實現整流和逆變，但工作頻率較低，局限在中低頻范圍內。變頻器時代進入八十年代，大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路技術的迅猛發(fā)展，為現代電力電子技術的發(fā)展奠定了基礎。將集成電路技術的精細加工技術和高壓大電流技術有機結合，出現了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的問世，導致了中小功率電源向高頻化發(fā)展，而后絕緣門極雙極晶體管(IGBT)的出現，又為大中型功率電源向高頻發(fā)展帶來機遇。MOSFET和IGBT的相繼問世，是傳統(tǒng)的電力電子向現代電力電子轉化的標志。據統(tǒng)計，到1995年底，功率M0SFET和GTR在功率半導體器件市場上已達到平分秋色的地步，而用IGBT代替GTR在電力電子領域巳成定論。新型器件的發(fā)展不僅為交流電機變頻調速提供了較高的頻率，使其性能更加完善可靠，而且使現代電子技術不斷向高頻化發(fā)展，為用電設備的高效節(jié)材節(jié)能，實現小型輕量化。
模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試，模擬而得到，與此相對應的數字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產生。電子元器件數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統(tǒng)。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量，可將數字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路。小規(guī)模集成電路包含的門電路在10個以內，或元器件數不超過100個；中規(guī)模集成電路包含的門電路在10-100個之間，或元器件數在100-1000個之間；大規(guī)模集成電路包含的門電路在100個以上，或元器件數在10-10個之間；超大規(guī)模集成電路包含的門電路在1萬個以上，或元器件數在10-10之間；特大規(guī)模集成電路的元器件數在10-10之間。它包括：基本邏輯門、觸發(fā)器、寄存器、譯碼器、驅動器、計數器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。電子技術是根據電子學的原理，運用電子元器件設計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學，包括信息電子技術和電力電子技術兩大分支。信息電子技術包括Analog。因通信設備中所用集成電路的種類繁多，其電源電壓也各不相同。
德國的VDE和TUV以及中國的CQC認證等國內外認證，來保證元器件的合格。電子元器件發(fā)展史其實就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發(fā)展起來的新興技術，二十世紀發(fā)展迅速，應用，成為近代科學技術發(fā)展的一個重要標志。電子元器件1906年，美國發(fā)明家德福雷斯特（DeForestLee）發(fā)明了真空三極管（電子管）。代電子產品以電子管為。四十年代末世界上誕生了只半導體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期，世界上出現了塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子產品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于，電子計算機發(fā)展經歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術發(fā)展的四個階段的特性，所以下面就從電子計算機發(fā)展的四個時代來說明電子技術發(fā)展的四個階段的特點。在20世紀出現并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個世界和人們的工作、生活習慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。電子技術是對電子信號進行處理的技術，處理的方式主要有：信號的發(fā)生、放大、濾波、轉換。紹興微電子技術就業(yè)前景
電子技術是根據電子學的原理，運用電子元器件設計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學。蕪湖新一代電子技術
可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發(fā)展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。80年代初期出現的MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點，結構上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關速度。蕪湖新一代電子技術
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