安徽模擬電子技術(shù)應用

來源: 發(fā)布時間:2020-01-30

模擬)電子技術(shù)和Digital(數(shù)字)電子技術(shù)。電子技術(shù)是對電子信號進行處理的技術(shù),處理的方式主要有:信號的發(fā)生、放大、濾波、轉(zhuǎn)換。電子技術(shù)是十九世紀末到二十世紀初開始發(fā)展起來的新興技術(shù),二十世紀發(fā)展迅速,應用,成為近代科學技術(shù)發(fā)展的一個重要標志。在十八世紀末和十九世紀初的這個時期,由于生產(chǎn)發(fā)展的需要,在電磁現(xiàn)象方面的研究工作發(fā)展得很快,1785年法國科學家?guī)靷愑蓪嶒灥贸鲭姾傻膸靵龆伞?895年,荷蘭物理學家亨得里克·安頓·洛倫茲假定了電子存在。1897年,英國物理學家湯姆遜()用試驗找出了電子。1904年,英國人發(fā)明了簡單的二極管(diode或valve),用于檢測微弱的無線電信號。1906年,在二極管中安上了第三個電極(柵極,grid)發(fā)明了具有放大作用的三極管,這是電子學早期歷史中重要的里程碑。1948年美國貝爾實驗室的幾位研究人員發(fā)明晶體管。1958年集成電路的個樣品見諸于世。集成電路的出現(xiàn)和應用,標志著電子技術(shù)發(fā)展到了一個新的階段。電子產(chǎn)品電子技術(shù)研究的是電子器件及其電子器件構(gòu)成的電路的應用。半導體器件是構(gòu)成各種分立、集成電子電路基本的元器件。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,各種新型半導體器件層出不窮。電子技術(shù)是十九世紀末到二十世紀初開始發(fā)展起來的新興技術(shù),二十世紀發(fā)展迅速。安徽模擬電子技術(shù)應用

模擬集成電路設(shè)計主要是通過有經(jīng)驗的設(shè)計師進行手動的電路調(diào)試,模擬而得到,與此相對應的數(shù)字集成電路設(shè)計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產(chǎn)生。電子元器件數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元器件數(shù)量,可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路。小規(guī)模集成電路包含的門電路在10個以內(nèi),或元器件數(shù)不超過100個;中規(guī)模集成電路包含的門電路在10-100個之間,或元器件數(shù)在100-1000個之間;大規(guī)模集成電路包含的門電路在100個以上,或元器件數(shù)在10-10個之間;超大規(guī)模集成電路包含的門電路在1萬個以上,或元器件數(shù)在10-10之間;特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在10-10之間。它包括:基本邏輯門、觸發(fā)器、寄存器、譯碼器、驅(qū)動器、計數(shù)器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。電子技術(shù)是根據(jù)電子學的原理,運用電子元器件設(shè)計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學,包括信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)兩大分支。信息電子技術(shù)包括Analog。衢州數(shù)字電子技術(shù)實驗不間斷電源(UPS)是計算機、通信系統(tǒng)以及要求提供不能中斷場合所必須的一種高可靠、高性能的電源。

現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展方向,是從以低頻技術(shù)處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學,向以高頻技術(shù)處理問題為主的現(xiàn)代電力電子學方向轉(zhuǎn)變。電力電子技術(shù)起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件,其發(fā)展先后經(jīng)歷了整流器時代、逆變器時代和變頻器時代,并促進了電力電子技術(shù)在許多新領(lǐng)域的應用。八十年代末期和九十年代初期發(fā)展起來的、以功率MOSFET和IGBT為的、集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導體復合器件,表明傳統(tǒng)電力電子技術(shù)已經(jīng)進入現(xiàn)代電力電子時代。大功率的工業(yè)用電由工頻(50Hz)交流發(fā)電機提供,但是大約20%的電能是以直流形式消費的,其中典型的是電解(有色金屬和化工原料需要直流電解)、牽引(電氣機車、電傳動的內(nèi)燃機車、地鐵機車、城市無軌電車等)和直流傳動(軋鋼、造紙等)三大領(lǐng)域。大功率硅整流器能夠高效率地把工頻交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姡虼嗽诹甏推呤甏?,大功率硅整流管和晶閘管的開發(fā)與應用得以很大發(fā)展,當時國內(nèi)曾經(jīng)掀起了-股各地大辦硅整流器廠的熱潮。全國小小的制造硅整流器的半導體廠家就是那時的產(chǎn)物。逆變器時代七十年代出現(xiàn)了世界范圍的能源危機,交流電機變頻調(diào)速因節(jié)能效果而迅速發(fā)展。

而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路在一起。其制造工藝既概括了代功率電子器件向大電流、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗,又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態(tài)時寄生參數(shù)的影響,這對提高電路工作頻率和外界干擾十分重要。電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件,是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括:電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝材料、電子膠(帶)制品、電子化學材料及部品等。電子元器件在質(zhì)量方面國際上有歐盟的CE認證,美國的UL認證。半導體器件是構(gòu)成各種分立、集成電子電路基本的元器件。

由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計等綜合技術(shù)的進步,在20世紀60年代研制成功了代集成電路。在半導體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時代的意義:它的誕生和發(fā)展推動了銅芯技術(shù)和計算機的進步,使科學研究的各個領(lǐng)域以及工業(yè)社會的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進的工具,進而產(chǎn)生了許多更為先進的技術(shù)。這些先進的技術(shù)有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現(xiàn)。對電子器件來說,體積越小,集成度越高;響應時間越短,計算處理的速度就越快;傳送頻率就越高,傳送的信息量就越大。半導體工業(yè)和半導體技術(shù)被稱為現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ),同時也已經(jīng)發(fā)展稱為一個相對的高科技產(chǎn)業(yè)。集成電路是一種采用特殊工藝,將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件,英文縮寫為IC,也俗稱芯片。模擬集成電路是指由電容、電阻、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路,如集成運算放大器、比較器、對數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關(guān)電容電路等。電子技術(shù)研究的是電子器件及其電子器件構(gòu)成的電路的應用。溫州數(shù)字電子技術(shù)實驗

變頻調(diào)速的關(guān)鍵技術(shù)是將直流電逆變?yōu)?~100Hz的交流電。安徽模擬電子技術(shù)應用

變頻調(diào)速的關(guān)鍵技術(shù)是將直流電逆變?yōu)?~100Hz的交流電。在七十年代到八十年代,隨著變頻調(diào)速裝置的普及,大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管(GTR)和門極可關(guān)斷晶閘管(GT0)成為當時電力電子器件的主角。類似的應用還包括高壓直流輸出,靜止式無功功率動態(tài)補償?shù)?。這時的電力電子技術(shù)已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)整流和逆變,但工作頻率較低,局限在中低頻范圍內(nèi)。變頻器時代進入八十年代,大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路技術(shù)的迅猛發(fā)展,為現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。將集成電路技術(shù)的精細加工技術(shù)和高壓大電流技術(shù)有機結(jié)合,出現(xiàn)了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的問世,導致了中小功率電源向高頻化發(fā)展,而后絕緣門極雙極晶體管(IGBT)的出現(xiàn),又為大中型功率電源向高頻發(fā)展帶來機遇。MOSFET和IGBT的相繼問世,是傳統(tǒng)的電力電子向現(xiàn)代電力電子轉(zhuǎn)化的標志。據(jù)統(tǒng)計,到1995年底,功率M0SFET和GTR在功率半導體器件市場上已達到平分秋色的地步,而用IGBT代替GTR在電力電子領(lǐng)域巳成定論。新型器件的發(fā)展不僅為交流電機變頻調(diào)速提供了較高的頻率,使其性能更加完善可靠,而且使現(xiàn)代電子技術(shù)不斷向高頻化發(fā)展,為用電設(shè)備的高效節(jié)材節(jié)能,實現(xiàn)小型輕量化。安徽模擬電子技術(shù)應用

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