EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑（基板尺寸）
200、100-300毫米
清潔系統(tǒng)
開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂
腔室：由PP或PFA制成（可選）
清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）
旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）
超音速?lài)娮?
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：30-60W
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區(qū)域：?4.0mm
材質(zhì)：聚四氟乙烯
兆聲區(qū)域傳感器
可選的
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性
材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石
刷的參數(shù)：
材質(zhì)：PVA
可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）
可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）
自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)
掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320，使24小時(shí)自動(dòng)化盒對(duì)盒或FOUP到FOUP操作，達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染。
可選功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） EVG鍵合機(jī)的特征有：壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。中國(guó)香港低溫鍵合機(jī)
什么是長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng)呢？
EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或高級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。 四川鍵合機(jī)供應(yīng)商家旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。
在鍵合過(guò)程中，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢(shì)被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽(yáng)極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng)，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過(guò)靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來(lái)自玻璃的離子向陽(yáng)極遷移，并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。
EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動(dòng)化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個(gè)清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項(xiàng)來(lái)清洗晶片。EVG301具有手動(dòng)加載和預(yù)對(duì)準(zhǔn)功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對(duì)準(zhǔn)和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。EVG和岱美經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程師隨時(shí)準(zhǔn)備為您提供支持。
EVG?850鍵合機(jī) EVG?850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無(wú)污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類(lèi)型：平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速?lài)娮欤羲倜娣e傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。重慶鍵合機(jī)服務(wù)為先
EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個(gè)型號(hào)用于研發(fā)的鍵合機(jī)。中國(guó)香港低溫鍵合機(jī)
EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米
清潔系統(tǒng)
開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂
腔室：由PP或PFA制成（可選）
清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）
旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）
超音速?lài)娮?
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：30-60W
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區(qū)域：?4.0mm
材質(zhì)：聚四氟乙烯
兆聲區(qū)域傳感器
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性
材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石
刷子
材質(zhì)：PVA
可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）
可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）
中國(guó)香港低溫鍵合機(jī)
岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表，是一家其他型的公司。岱美儀器技術(shù)服務(wù)致力于為客戶(hù)提供良好的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，一切以用戶(hù)需求為中心，深受廣大客戶(hù)的歡迎。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念，在儀器儀表深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì)，打造儀器儀表良好品牌。岱美儀器技術(shù)服務(wù)秉承“客戶(hù)為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。