EVG?501晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購(gòu)置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購(gòu)置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量，加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。湖南ComBond鍵合機(jī)
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。
特征：
在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用
通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實(shí)現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成
支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底
BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米
蕞高數(shù)量或過程模塊8通量
每小時(shí)蕞多40個(gè)晶圓
處理系統(tǒng)
4個(gè)裝載口
特征：
多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊
XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量
光學(xué)邊緣對(duì)準(zhǔn)模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ 廣東臺(tái)積電鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。
二、EVG501晶圓鍵合機(jī)特征：
帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室
獨(dú)特的壓力和溫度均勻性
與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容
靈活的設(shè)計(jì)和研究配置
從單芯片到晶圓
各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）
可選渦輪泵（<1E-5 mbar）
可升級(jí)陽極鍵合
開放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)
兼容試生產(chǎn)需求：
同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本
開放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)
蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡
程序與EVG HVM鍵合系統(tǒng)完全兼容
以上產(chǎn)品由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。
從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度，通常*應(yīng)用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí)，然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560，擁有多達(dá)4個(gè)鍵合室，能滿足各種鍵合操作；可以自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站。
半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。
imec 3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績(jī)。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！?GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的。高精密儀器鍵合機(jī)應(yīng)用
以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。湖南ComBond鍵合機(jī)
Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說：“ GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔，對(duì)齊（對(duì)準(zhǔn)）和鍵合，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的優(yōu)質(zhì)服務(wù)對(duì)于快 速有 效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要?！?
EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃?！?
該公告標(biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級(jí)設(shè)備投 資上的另一個(gè)重要里程碑，該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場(chǎng)。 湖南ComBond鍵合機(jī)
岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司位于中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號(hào)第五層六十五部位，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家其他型企業(yè)。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家有限責(zé)任公司企業(yè)。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)等多項(xiàng)業(yè)務(wù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)以創(chuàng)造高品質(zhì)產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標(biāo)的服務(wù)，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。