Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器（面對面，背面，紅外和透明對準(zhǔn)） 無需Z軸運(yùn)動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個紙盒站（蕞/大200毫米）或2個FOUP加載端口（300毫米）EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù)。**鍵合機(jī)服務(wù)為先
GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實(shí)現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器，該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的。中國澳門鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過遠(yuǎn)程通信的。
真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持
封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這大 大加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。自動鍵合系統(tǒng)EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達(dá)4個自動處理鍵合卡盤。
1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。
2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實(shí)現(xiàn)圖 形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。
3) 由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。 除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進(jìn)封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā)，中試和批量生產(chǎn)。中芯國際鍵合機(jī)推薦型號
晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。**鍵合機(jī)服務(wù)為先
EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨(dú)立單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一激/活并結(jié)合在等離子體激/活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）**鍵合機(jī)服務(wù)為先
岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司一直專注于磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動】，是一家儀器儀表的企業(yè)，擁有自己獨(dú)立的技術(shù)體系。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺與成長空間，為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù)，深受員工與客戶好評。誠實(shí)、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求，也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造高品質(zhì)的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)形象，贏得了社會各界的信任和認(rèn)可。