EVG850 LT鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

來源: 發(fā)布時(shí)間:2020-03-15

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,***用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動時(shí)表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na 2 O)。 晶圓級涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。EVG850 LT鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊,以執(zhí)行隨后的鍵合過程??梢允褂眠m合每個(gè)通用鍵合室的**卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī)。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機(jī)特征 ■基底高達(dá)200mm ■壓力高達(dá)100kN ■溫度高達(dá)550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選:陽極,UV固化,650℃加熱器 EVG鍵合機(jī)加工服務(wù) EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下: ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合 ■高真空對準(zhǔn)鍵合 ■臨時(shí)鍵合和熱、機(jī)械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合熔融鍵合鍵合機(jī)原理針對高級封裝,MEMS,3D集成等不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個(gè)鍵合模塊。

封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)[1]。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動操作(錯(cuò)誤加載,SMIF或FOUP)

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷


技術(shù)數(shù)據(jù):

晶圓直徑(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口

對準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°

結(jié)合力:蕞高5N

鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。

半導(dǎo)體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正(P)型半導(dǎo)體或負(fù)(N)型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片,因?yàn)楣枋钱?dāng)***行的半導(dǎo)體,這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進(jìn)行刻劃,以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件,這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能*包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路,例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。熔融鍵合鍵合機(jī)原理

根據(jù)鍵合機(jī)型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。EVG850 LT鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

用晶圓級封裝制造的組件被***用于手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場對更小,更輕的電子設(shè)備的需求,這些電子設(shè)備可以以越來越復(fù)雜的方式使用。例如,除了簡單的通話外,許多手機(jī)還具有多種功能,例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如,它們用于汽車輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng),可植入醫(yī)療設(shè)備,***數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。

晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。 EVG850 LT鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

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