青海納米壓印學(xué)校會用嗎

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-06-17

HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL

®的 UV-NIL紫外光納米壓印系統(tǒng)。


EVG的HERCULES ® NIL產(chǎn)品系列

HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL

® UV-NIL系統(tǒng)達(dá)200毫米

對于大批量制造的完全集成的納米壓印光刻解決方案,具有EVG's專有SmartNIL ®印跡技術(shù)


HERCULES NIL是完全集成的UV納米壓印光刻跟 蹤解決方案,適用于比較大200 mm的晶圓,是EVG的NIL產(chǎn)品組合的***成員。HERCULES

NIL基于模塊化平臺,將EVG專有的SmartNIL壓印技術(shù)與清潔,抗蝕劑涂層和烘烤預(yù)處理步驟相結(jié)合。這將HERCULES NIL變成了“一站式服務(wù)”,將裸露的晶圓裝載到工具中,然后將經(jīng)過完全處理的納米結(jié)構(gòu)晶圓退回。 EVG先進(jìn)的多用戶概念可以適應(yīng)從初學(xué)者到**級別的所有需求,因此使其成為大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用程序的理想選擇。青海納米壓印學(xué)校會用嗎

納米壓印應(yīng)用三:連續(xù)性UV納米壓印

EVG770是用于步進(jìn)重復(fù)納米壓印光刻的通用平臺,可用于有效地進(jìn)行母版制作或?qū)迳系膹?fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行直接圖案化。這種方法允許從比較大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。與鉆石車削或直接寫入方法相結(jié)合,分步重復(fù)刻印通常用于高 效地制造晶圓級光學(xué)器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商,歡迎各位聯(lián)系我們,探討納米壓印光刻的相關(guān)知識。我們愿意與您共同進(jìn)步。


CMOS納米壓印IQ Aligner?是EVG的可用于晶圓級透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)。

納米壓印光刻(NIL)技術(shù)

EVG是納米壓印光刻(NIL)設(shè)備和集成工藝的市場**供應(yīng)商。EVG從19年前的研究方法中率先并掌握了NIL,并實(shí)現(xiàn)了從2英寸化合物半導(dǎo)體晶圓到300 mm晶圓甚至大面積面板的各種尺寸基板的批量生產(chǎn)。NIL是產(chǎn)生納米尺度分辨率圖案的**有前途且相當(dāng)有成本效益的工藝,可用于生物MEMS,微流體,電子學(xué)以及**近各種衍射光學(xué)元件的各種商業(yè)應(yīng)用。


其中EVG紫外光納米壓印系統(tǒng)型號包含:

EVG®610

EVG®620NT

EVG®6200NT

EVG®720

EVG®7200

EVG®7200LA

HERCULES®NIL

EVG®770

IQAligner®


熱壓納米壓抑系統(tǒng)型號包含:

EVG®510HE

EVG®520HE


詳細(xì)的參數(shù),請聯(lián)系我們岱美有限公司。


EVG ® 770分步重復(fù)納米壓印光刻系統(tǒng)

分步重復(fù)納米壓印光刻技術(shù),可進(jìn)行有效的母版制作


EVG770是用于步進(jìn)式納米壓印光刻的通用平臺,可用于有效地進(jìn)行母版制作或?qū)迳系膹?fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行直接圖案化。這種方法允許從**

大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。與鉆石車削或直接寫入方法相結(jié)合,分步重復(fù)刻印通常用于有效地制造晶圓級光學(xué)器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。

EVG770的主要功能包括精確的對準(zhǔn)功能,完整的過程控制以及可滿足各種設(shè)備和應(yīng)用需求的靈活性。 NIL已被證明是在大面積上實(shí)現(xiàn)納米級圖案的相當(dāng)有成本效益的方法。

SmartNIL技術(shù)簡介

SmartNIL是基于紫外線曝光的全域型壓印技術(shù),可提供功能強(qiáng)大的下一代光刻技術(shù),幾乎具有無限的結(jié)構(gòu)尺寸和幾何形狀功能。由于SmartNIL集成了多次使用的軟標(biāo)記處理功能,因此還可以實(shí)現(xiàn)****的吞吐量,并具有顯著的擁有成本的優(yōu)勢,同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作功能。另外,主模板的壽命延長到與用于光刻的掩模相當(dāng)?shù)臅r(shí)間。岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商,歡迎各位聯(lián)系我們,探討納米壓印光刻的相關(guān)知識。我們愿意與您共同進(jìn)步。


岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商,歡迎各位聯(lián)系我們,探討納米壓印光刻的相關(guān)知識。中科院納米壓印學(xué)校會用嗎

EVG是納米壓印光刻(NIL)的市場**設(shè)備供應(yīng)商。青海納米壓印學(xué)校會用嗎

    具體說來就是,MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動,因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平(硅中摻雜以帶來或正或負(fù)的電荷),以確??绺鹘M件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅(SiO2)襯底上,然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控,摻雜有時(shí)會泄到別的不需要的地方,那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域,并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手(包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等),開發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形,從而帶來更加“物理可控”的生產(chǎn)過程。(來自網(wǎng)絡(luò)。青海納米壓印學(xué)校會用嗎

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