目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。
本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。
在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互 融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。 EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行。廣東美元價格鍵合機
EVG®320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)
用途:自動單晶片清洗系統(tǒng),可有效去除顆粒
EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預(yù)對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外,配置選項還包括兆頻,刷子和稀釋的化學藥品清洗。
特征
多達四個清潔站
全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理
可進行雙面清潔的邊緣處理(可選)
使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進行高/效清潔
先進的遠程診斷
防止從背面到正面的交叉污染
完全由軟件控制的清潔過程 內(nèi)蒙古MEMS鍵合機鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實用的技術(shù)。
一旦認為模具有缺陷,墨水標記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復率。
質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產(chǎn)方法,不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。
半導體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機和鍵合機。
EVG®510晶圓鍵合機系統(tǒng):
用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。
特色:
EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,玻璃粉,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化,轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設(shè)計相同,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,可輕松擴大生產(chǎn)規(guī)模。 晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能;200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。
EVG?501晶圓鍵合機(系統(tǒng)) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng),可實現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵,低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計,可實現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護 ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng),只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(系統(tǒng)) ■擁有EVG?501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量,加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG鍵合機可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮工藝。SmartView NT鍵合機可以免稅嗎
GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器,是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。廣東美元價格鍵合機
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到高 端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。廣東美元價格鍵合機
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