甘肅鍵合機(jī)可以試用嗎

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2020-01-06

晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前,通過(guò)在每個(gè)電路周?chē)┘臃庋b來(lái)制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì),該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來(lái)。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開(kāi)始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,稱(chēng)為晶圓,這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過(guò)稱(chēng)為晶圓切割的工藝來(lái)分離。分離后,將它們封裝成單獨(dú)的組件,然后將焊料引線(xiàn)施加到封裝上。 自動(dòng)鍵合系統(tǒng)EVG?540,擁有300 mm單腔鍵合室和多達(dá)4個(gè)自動(dòng)處理鍵合卡盤(pán)。甘肅鍵合機(jī)可以試用嗎

鍵合機(jī)特征 高真空,對(duì)準(zhǔn),共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過(guò)程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無(wú)應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個(gè),蕞/大6個(gè) 加載:手動(dòng),卡帶,EFEM 可選的過(guò)程模塊: 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊(VAM) 晶圓直徑 高達(dá)200毫米西藏低溫鍵合機(jī)鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層,晶圓級(jí)封裝,工程襯底智造,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。

EVG501晶圓鍵合機(jī),先進(jìn)封裝,TSV,微流控加工。基本功能:用于學(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于:微流體芯片,半導(dǎo)體器件處理,MEMS制造,TSV制作,晶圓先進(jìn)封裝等。

一、簡(jiǎn)介:

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝,如陽(yáng)極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),讓用戶(hù)能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。

二、特征:

帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨(dú)特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計(jì)和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合)可選渦輪泵(<1E-5mbar)可升級(jí)陽(yáng)極鍵合開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)試生產(chǎn)需求:同類(lèi)產(chǎn)品中比較低擁有成本開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)程序與EVGHVM鍵合系統(tǒng)完全兼容。

三、參數(shù):蕞大鍵合力:20kN,加熱器尺寸:150mm。

熔融和混合鍵合系統(tǒng):

熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤(pán)的熔融鍵合,從而允許晶片面對(duì)面連接?;旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。 EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤(pán)來(lái)處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。

EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn):±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動(dòng) 可選:電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償:自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):3個(gè)卡帶站 可選:蕞多5個(gè)站晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能;200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)。ComBond鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額,并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。甘肅鍵合機(jī)可以試用嗎

EVG®520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG®501和EVG®510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站,實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG®540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤(pán)■模塊化鍵合室■自動(dòng)底側(cè)冷卻EVG®560自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室,滿(mǎn)足各種鍵合操作■自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線(xiàn)診斷■自動(dòng)化機(jī)器人處理系統(tǒng),用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局,適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG®GEMINI®自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上,同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù),前/列的GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng),并結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作。有關(guān)更多詳/細(xì)信息,請(qǐng)參/閱我們的GEMINI手冊(cè)。甘肅鍵合機(jī)可以試用嗎

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