中芯國(guó)際光刻機(jī)技術(shù)原理

EVG的掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)含有：EVG610；EVG620 NT半自動(dòng)/全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200 NT半自動(dòng)/全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；IQ Aligner 自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；IQ Aligner NT自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；

【EVG ® 610掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)】EVG

® 610是一個(gè)緊湊的和多用途R＆d系統(tǒng)，可以處理小基板片和高達(dá)200毫米的晶片。

EVG ® 610技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG610支持多種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，例如真空，硬，軟和接近曝光模式，并可選擇背面對(duì)準(zhǔn)功能。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具，可滿足用戶需求的變化，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念可以適應(yīng)從初學(xué)者到**級(jí)別的所有需求，因此使其非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。 可在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中找到EVG的設(shè)備應(yīng)用，包括高級(jí)封裝，化合物半導(dǎo)體，功率器件，LED，傳感器和MEMS。中芯國(guó)際光刻機(jī)技術(shù)原理

EVG ® 610特征：

晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''

頂側(cè)和底側(cè)對(duì)準(zhǔn)能力

高精度對(duì)準(zhǔn)臺(tái)

自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列

電動(dòng)和程序控制的曝光間隙

支持**/新的UV-LED技術(shù)

**小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

分步流程指導(dǎo)

遠(yuǎn)程技術(shù)支持

多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）

便捷處理和轉(zhuǎn)換重組

臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版

EVG ® 610附加功能：

鍵對(duì)準(zhǔn)

紅外對(duì)準(zhǔn)

納米壓印光刻（NIL）

EVG ® 610技術(shù)數(shù)據(jù)：

對(duì)準(zhǔn)方式

上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5 μm

底面要求：≤±2,0 μm

紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 μm /具體取決于基板材料

鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0 μm

NIL對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0 μm 廣東光刻機(jī)可以試用嗎EVG100光刻膠處理系統(tǒng)可以處理多種尺寸的基板，直徑從2寸到300 mm。

光刻機(jī)處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（EVG6xx和IQ Aligner系列）以及高度集成的涂層平臺(tái)（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。高級(jí)封裝：在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口 ；在EVG的IQ

Aligner NT®上進(jìn)行撞擊40μm厚抗蝕劑；負(fù)側(cè)壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層; 金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間；用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu)，用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果；西門子星狀測(cè)試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了高/分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。

EVG ® 610曝光源：

汞光源/紫外線LED光源

楔形補(bǔ)償

全自動(dòng)軟件控制

晶圓直徑（基板尺寸）

高達(dá)100/150/200毫米

曝光設(shè)定：

真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式

曝光選項(xiàng)：

間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光

先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能：

手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證

手動(dòng)交叉校正

大間隙對(duì)準(zhǔn)

EVG ® 610光刻機(jī)系統(tǒng)控制：

操作系統(tǒng)：Windows

文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)

多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR

實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除

使用的納米壓印光刻技術(shù)為“無(wú)紫外線” EVG光刻機(jī)設(shè)備，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。

EVG鍵合機(jī)掩模對(duì)準(zhǔn)系列產(chǎn)品，使用**/先進(jìn)的工程技術(shù)。

用戶對(duì)接近式對(duì)準(zhǔn)器的主要需求由幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)決定。亞微米對(duì)準(zhǔn)精度，掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙，以及對(duì)應(yīng)于抗蝕劑靈敏度的已經(jīng)明確定義且易于控制的曝光光譜是**重要的標(biāo)準(zhǔn)。此外，整個(gè)晶圓表面的高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計(jì)和不斷增強(qiáng)EVG掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時(shí)需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。創(chuàng)新推動(dòng)了我們的日常業(yè)務(wù)的發(fā)展和提升我們的理念，使我們能夠跳出思維框架，創(chuàng)造更先進(jìn)的系統(tǒng)。 HERCULES 全電動(dòng)頂部和底部分離場(chǎng)顯微鏡支持實(shí)時(shí)、大間隙、晶圓平面或紅外對(duì)準(zhǔn)，在可編程位置自動(dòng)定位。陜西晶片光刻機(jī)

整個(gè)晶圓表面高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計(jì)和不斷提高EVG掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時(shí)需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。中芯國(guó)際光刻機(jī)技術(shù)原理

EVG ® 105—晶圓烘烤模塊

設(shè)計(jì)理念：?jiǎn)螜C(jī)EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過(guò)程而設(shè)計(jì)。

特點(diǎn)：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過(guò)程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)。可編程的接近銷可提供對(duì)光刻膠硬化過(guò)程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時(shí)處理300 mm的晶圓尺寸或4個(gè)100 mm的晶圓。

特征

**烘烤模塊

晶片尺寸**/大為300毫米，或同時(shí)**多四個(gè)100毫米晶片

溫度均勻性≤±1°C @ 100°C，**/高250°C烘烤溫度

用于手動(dòng)和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷

烘烤定時(shí)器

基材真空（直接接觸烘烤）

N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選

不規(guī)則形狀的基材

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米

烤盤：

溫度范圍：≤250°C

手動(dòng)將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙

中芯國(guó)際光刻機(jī)技術(shù)原理

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主要經(jīng)營(yíng)范圍是儀器儀表，擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場(chǎng)口碑。岱美儀器技術(shù)服務(wù)致力于為客戶提供良好的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念，在儀器儀表深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì)，打造儀器儀表良好品牌。岱美儀器技術(shù)服務(wù)立足于全國(guó)市場(chǎng)，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。